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應(yīng)怎樣利用tgδ正確判斷設(shè)備的絕緣狀況

更新時(shí)間:2010-10-14 09:29:27 來源:|0 瀏覽0收藏0

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  (1)若設(shè)備絕緣受潮,油或油漬物臟污或劣化變質(zhì),絕緣中有氣隙放電。則tgδ增大。

  (2)在常規(guī)(2500~10000V)預(yù)防性試驗(yàn)中,測量的tgδ值一般可反映絕緣受潮,油或油漬物臟污或劣化變質(zhì)等缺陷。但對氣隙局放缺陷則需作tgδ與外施電壓的關(guān)系曲線來判斷。

  (3)若被試設(shè)備絕緣的體積較大,而絕緣內(nèi)的缺陷又較集中,則不宜用測量tgδ來判斷設(shè)備絕緣狀況。對整體絕緣體積小(如套管)的或能將整體絕緣分解為多個(gè)小部分的被試設(shè)備,用測量tgδ能有效地發(fā)現(xiàn)局部缺陷。

  (4)用測量tgδ來判斷設(shè)備絕緣狀況,必須著重與縱向和橫向比較。同時(shí),在tgδ值相互比較時(shí),必須注意溫度和試驗(yàn)電壓等同。

  (5)另外,測量電容量對判斷電容型套管和互感器的絕緣狀況也有實(shí)際意義。若電容量明顯增加,常表示設(shè)備內(nèi)部存在電容層間短路或水分進(jìn)入的缺陷。

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